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关于磷化铟
磷化铟是硅半导体之后发展起来的第二代半导体是制造各种光电器件、光纤通讯器件的绝佳材料。光通信器件应用InP基材质可以制造激光器、调制器、探测器及其相关模块，这些器件有很好的波长单色性，发出的光在光纤中 可实现无损传输.因此磷化铟成为光通信器件的首选材料甚至是唯一材料。
磷化铟应用
光纤通信
光通信中所用的石英光纤的最小损耗波长是在1.3μm～1.55μm。因此这是光纤通信的两个主要窗口，前者用于短距离局域通信网，后者用于长距离高速率的光通信系统。III-V族三元、四元合金lnGaAs光探测器、InGaAsP激光器等器件的频率恰恰在这个波长范围，而lnP与这些合金晶格匹配。因此InP成为光通讯中的关键材料，由InP衬底为基础制作的激光二极管(LD)、发光二极管(LED)和光探测器等实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接收等功能。全球高速互联网就是建立在这些器件的基础上的。
磷化铟是硅半导体之后发展起来的第二代半导体是制造各种光电器件、光纤通讯器件的绝佳材料。
光通信器件应用InP基材质可以制造激光器、调制器、探测器及其相关模块，这些器件有很好的波长单色性，发出的光在光纤中 可实现无损传输.因此磷化铟成为光通信器件的首选材料甚至是唯一材料。
晶体管（HBT/HEMT）
因为与InP晶格匹配的lnGaAs外延层的载流子浓度和电子迁移率非常高，超过与GaAs晶格匹配的AlGaAs，所以InP非常适用于高频器件，以InP为衬底的异质结双极晶体管(HBT)和高电子迁移率晶体管(HEMT) 等在超过几十GHz的频率范围有广泛的用途。
光电集成电路
把光器件和电子器件集成在同一基片上的集成电路。简称OEIC。按功能分主要有电光发射集成电路和光电接收集成电路。前者是由电光驱动电路、有源光发射器件、导波光路、光隔离器、光调制器和光开关等组成；后者是由光滤波器、光放大器、光电转换器以及相应的接收电路和器件集合而成。。
