磷化铟多晶

       InP是微电子和光电子的基础材料，为直接带隙，禁带宽度约1.3 eV，具有电子饱和漂移速度高、耐高温、搞辐射等特点，在超速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。