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行业新闻

  • 功率半导体氧化镓到底是什么?

    目前,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高,它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面,会有非常广阔的发展前景。

    240 2020-07-08
  • 西安电子科技大学郝跃院士团队在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展

    近期,西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展,研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应,实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管,功率优值高达13.2GW/cm2,是截止目前氧化镓半导体器件的最高值。相关成果以《Ultra-wide bandgap semiconductor Ga2O3power diodes》为题发表于国际期刊《自然•通讯》

    115 2022-08-29
  • 氧化镓:宽禁带半导体新势力

    近日,有报道称,韩国30家半导体企业、大学以及研究所组建了碳化硅产业联盟,目的是为了应对急速增长的碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)等宽禁带半导体所引领的新型功率半导体市场。与此同时,日本企业Novel Crystal Technology(NCT)与日本酸素控股旗下的大阳日酸、东京农工大学合作实现了氧化镓功率半导体的6英寸成膜,突破了只能在最大4英寸晶圆上成膜的技术瓶颈,此技术有望把成本降至碳化硅功率半导体的1/3。

    168 2022-08-29
  • 国产替代的机会!强势崛起的第四代半导体_腾讯新闻

    氧化镓VS碳化硅,谁是未来十年的主角?新一代半导体材料的崛起,让我国半导体行业有了弯道超车的机会,而在带着“终极半导体”光环的第四代半导体赛道上,国内企业进展究竟如何呢?强势崛起的第四代半导体随着2018年特斯拉采用碳化硅(SiC)、2020年小米在快充上使用氮化镓开始,第三代半导体经过三四十年的发展终于获得市...

    48 2023-06-14