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行业新闻

  • 氧化镓——半导体天空中的新恒星?

    说到晶体,我们谈论的是用于电子/光子技术平台研究、开发和服务的真正大体积晶体,莱布尼兹研究所F_r Kristallz_chtung(ikz)是第一个停靠港。在这里,从一个非常热的熔融体,他们生长同位素纯硅晶体到2升瓶大小,用于特殊用途(例如新标准千克),并开发出精炼和新的方法,以单晶体形式生产锡、锌和铟等金属的导电氧化物。

    6 2020-07-07
  • 功率半导体氧化镓到底是什么?

    目前,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高,它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面,会有非常广阔的发展前景。

    5 2020-07-08
  • 西安电子科技大学郝跃院士团队在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展

    近期,西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展,研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应,实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管,功率优值高达13.2GW/cm2,是截止目前氧化镓半导体器件的最高值。相关成果以《Ultra-wide bandgap semiconductor Ga2O3power diodes》为题发表于国际期刊《自然•通讯》

    3 2022-08-29
  • 氧化镓:宽禁带半导体新势力

    近日,有报道称,韩国30家半导体企业、大学以及研究所组建了碳化硅产业联盟,目的是为了应对急速增长的碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)等宽禁带半导体所引领的新型功率半导体市场。与此同时,日本企业Novel Crystal Technology(NCT)与日本酸素控股旗下的大阳日酸、东京农工大学合作实现了氧化镓功率半导体的6英寸成膜,突破了只能在最大4英寸晶圆上成膜的技术瓶颈,此技术有望把成本降至碳化硅功率半导体的1/3。

    2 2022-08-29